Košík

0538408 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Blumenschein, N. - Kadlec, Christelle - Romanyuk, Olexandr - Paskova, T. - Muth, J.F. - Kadlec, Filip
Dielectric and conducting properties of unintentionally and Sn-doped beta-Ga₂O₃ studied by terahertz spectroscopy.
Journal of Applied Physics. Roč. 127, č. 16 (2020), s. 1-8, č. článku 165702. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GA17-03662S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760; NSF OISE(US) 1458427
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: terahertz spectroscopy, * gallium oxide, * localized charge carriers
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.546, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1063/1.5143735
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0316213