Košík

    1.
    0538001 - ÚFE 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Vaniš, Jan - Grym, Jan
    Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate.
    Materials Science in Semiconductor Processing. Roč. 107, 1 March (2020), č. článku 104808. ISSN 1369-8001. E-ISSN 1873-4081
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Current-voltage characteristics * Focused ion beam patterning * Nanoscale heterojunctions * ZnO nanorods
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Impakt faktor: 3.927, rok: 2020
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104808
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315834
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0538001.pdf01 MBJinávyžádat
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše