Košík

0536309 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Jarý, Vítězslav - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Blažek, K. - Nikl, Martin
Optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well structures grown on GaN and sapphire substrates.
IEEE Transactions on Nuclear Science. Roč. 67, č. 6 (2020), s. 974-977. ISSN 0018-9499. E-ISSN 1558-1578
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA TA ČR TH02010580
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: gallium nitride * substrates * quantum well devices * photoluminescence * photonic band gap * fluctuations * nanotechnology * scintillation detectors
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.679, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1109/TNS.2020.2985666
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314097