Košík

0525137 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Vozda, Vojtěch - Medvedev, Nikita - Chalupský, Jaromír - Čechal, J. - Burian, Tomáš - Hájková, Věra - Juha, Libor - Krůs, M. - Kunc, J.
Detachment of epitaxial graphene from SiC substrate by XUV laser radiation.
Carbon. Roč. 161, May (2020), s. 36-43. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
Grant CEP: GA MŠMT LTT17015; GA MŠMT(CZ) LM2015083
GRANT EU: European Commission(XE) 654148 - LASERLAB-EUROPE
Výzkumná infrastruktura: CEITEC Nano - 90041
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: epitaxial graphene * SiC substrate * graphene detachment * XUV laser radiation * method of ablative imprints * calcutation by XTANT code
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 9.594, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.carbon.2020.01.028
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0309343