Košík

0525120 - FZÚ 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Savchenko, Dariia - Rodionov, V. - Prokhorov, Andriy - Lančok, Ján - Kalabukhova, E. - Shanina, B.
Impact of the dangling bond defects and grain boundaries on trapping recombination process in polycrystalline 3C SiC.
Journal of Alloys and Compounds. Roč. 823, May (2020), s. 1-8, č. článku 153752. ISSN 0925-8388. E-ISSN 1873-4669
Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001406; GA MŠMT(CZ) LO1409; GA MŠMT(CZ) LM2015088
Grant ostatní: OP VVV - SAFMAT(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_013/0001406
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: semiconductors * grain boundaries * point defects * recombination and trapping * electron paramagnetic resonance * photoconductivity and photovoltaics
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 5.316, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.153752
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0309328