Košík

0505794 - FZÚ 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dominec, Filip - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Vetushka, Aliaksi - Hulicius, Eduard
Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties.
Journal of Crystal Growth. Roč. 507, Feb (2019), s. 246-250. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: low dimensional structures * V-pits * metalorganic vapor phase epitaxy * InGaN/GaN quantum wells * GaN buffer layer * scintillators
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.632, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0297183