Košík

  1. 1.
    0499514 - FZÚ 2019 RIV UA eng J - Článek v odborném periodiku
    Savchenko, Dariia - Kalabukhova, E.N. - Shanina, B.D. - Bagraev, N.T. - Klyachkin, L.E. - Malyarenko, A.M. - Khromov, V. S.
    Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments.
    Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. Roč. 21, č. 3 (2018), s. 249-255. ISSN 1560-8034. E-ISSN 1605-6582
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1409; GA MŠMT(CZ) LM2015088
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: cyclotron resonance * EPR * effective mass * relaxation time * silicon nanostructure
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0291703
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.