Košík

  1. 1.
    0499141 - ÚJF 2019 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Mikhaylov, Vasily - Guber, F. - Ivashkin, A. - Kugler, Andrej - Kushpil, Vasilij - Morozov, S. - Svoboda, Ondřej - Tlustý, Pavel
    Radiation hardness of Silicon Photomultipliers for CBM@FAIR, NA61@CERN and BM@N experiments.
    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 912, č. 12 (2018), s. 241-244. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015049; GA MŠMT EF16_013/0001677
    Institucionální podpora: RVO:61389005
    Klíčová slova: silicon photomultiplier * MPPC * radiation damage * CBM * NA61 * MB@N
    Obor OECD: Nuclear related engineering
    Impakt faktor: 1.433, rok: 2018
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0291407
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.