Košík

0479636 - ÚJF 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Klímová, K. - Sedmidubský, D. - Mikulics, M. - Lorinčík, Jan - Veselá, D. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Structural and optical properties of vanadium ion-implanted GaN.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 406, SEP (2017), s. 53-57. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584
Grant CEP: GA ČR GA13-20507S; GA ČR GA15-01602S; GA MŠMT LM2015056
Institucionální podpora: RVO:61389005 ; RVO:67985882
Klíčová slova: GaN implantation * RBS-channelling * optical properties of metal-implanted GaN
Obor OECD: Nuclear physics; Electrical and electronic engineering (URE-Y)
Impakt faktor: 1.323, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275610