Košík

  1. 1.
    0477799 - ÚI 2018 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dropka, N. - Holeňa, Martin - Frank-Rotsch, C.
    TMF Otimization in VGF Crystal Growth of GaAs by Artificial Neural Networks and Gaussian Process Models.
    Electrotechnologies for Material Processing. Hannover: Vulkan, 2017 - (Baake, E.; Nacke, B.), s. 203-208. ISBN 978-3-80273-095-5.
    [International UIE-Congress on Electrotechnologies for Material Processing /18./. Hannover (DE), 06.06.2017-09.06.2017]
    Grant CEP: GA ČR GA17-01251S
    Institucionální podpora: RVO:67985807
    Klíčová slova: crystal growth * travelling magnetic field * artificial neural networks * multilayer perceptron * Gaussian process
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0274019
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    a0477799.pdf5726.2 KBVydavatelský postprintvyžádat
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.