Košík

0469569 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard
GaAsSb/InAs QDs structures for advanced telecom lasers.
ASDAM 2016. Danvers: IEEE, 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 57-60. ISBN 978-150903083-5.
[International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
Grant CEP: GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * MOVPE * strain reducing layer * long emission wavelength * telecom lasers
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267401