Košík

0460073 - ÚMCH 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kucek, V. - Plecháček, T. - Janíček, P. - Ruleová, P. - Beneš, L. - Navrátil, Jiří - Drašar, Č.
Thermoelectric Properties of TI – Doped SnSe: A Hint of Phononic Structure.
Journal of Electronic Materials. Roč. 45, č. 6 (2016), s. 2943-2949. ISSN 0361-5235. E-ISSN 1543-186X
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA16-07711S
Institucionální podpora: RVO:61389013
Klíčová slova: semiconductors * chalcogenides * X-ray diffraction
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 1.579, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0260215