Košík

0455015 - FZÚ 2016 RIV SE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard
Photoluminescence in an electric field of InAs/GaAs QDs covered by GaAsSb strain reducing layer.
EWMOVPE XVI - 16th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Lund: Nanometer Structure Consortium, 2015 - (Ghalamestani, S.; Lundfald, L.), s. 241-244
[EWMOVPE XVI - 16th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Lund (SE), 07.06.2015-10.06.2015]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs quantum dot * GaAs * GaAsSb SRL
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0255675