Košík

0450412 - FZÚ 2016 RIV CH eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Ižák, Tibor - Babchenko, Oleg - Jirásek, Vít - Vanko, G. - Vojs, M. - Kromka, Alexander
Influence of diamond CVD growth conditions and interlayer material on diamond/GaN interface.
Silicon Carbide and Related Materials 2014. Pfaffikon: Trans Tech Publications, 2015 - (Chaussende, D.; Ferro, G.), s. 982-985. Materials Science Forum, 821-823. ISBN 978-3-03835-478-9. ISSN 1662-9752.
[Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2014). Grenoble (FR), 21.09.2014-25.09.2014]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-16549P
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: polycrystalline diamond film * GaN substrate * microwave CVD * passivation layer * Raman spectroscopy * SEM
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0251698