Košík

  1. 1.
    0447827 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Václav - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
    Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 414, č. 172 (2015), s. 172-176. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs Quantum dots * GaAsSb Strain reducing layer * solar cells
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249601
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.