Košík

  1. 1.
    0440411 - FZÚ 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Unno, Y. - Edwards, S.O. - Pyatt, S. - Böhm, Jan - Mikeštíková, Marcela … celkem 95 autorů
    Development of n+-in-p large-area silicon microstrip sensors for very high radiation environments – ATLAS12 design and initial results.
    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 765, Nov (2014), s. 80-90. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LG13009
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: silicon strip * n+-in-p * P-type * Radiation-tolerant * HL-LHC * PTP
    Kód oboru RIV: BF - Elementární částice a fyzika vys. energií
    Impakt faktor: 1.216, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0243501
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.