Košík

0439648 - FZÚ 2015 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pokorný, M. - Kozák, M. - Trojánek, F. - Pangrác, Jiří - Hospodková, Alice
Type-I InAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer.
Nanophotonic Materials XI. Bellingham: SPIE, 2014 - (Cabrini, S.; Lerondel, G.; Schwartzberg, A.; Mokari, T.), s. 916113. Proceedings of SPIE, 9161. ISBN 978-1-62841-188-1. ISSN 0277-786X.
[Conference on Nanophotonic Materials XI. San Diego, CA (US), 20.08.2014-21.08.2014]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: indium arsenide * quantum dots * gallium arsenide * luminescence * near infrared * telecommunications * upconversion
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242871