Košík

  1. 1.
    0433687 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
    Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Otto - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
    Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
    International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 7-7
    [International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * solar cells
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237896
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.