Košík

0396578 - ÚFE 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Lotsari, A. - Das, A. - Kehagias, Th. - Kotsar, Y. - Monroy, E. - Karakostas, Th. - Gladkov, Petar - Komninou, Ph. - Dimitrakopulos, G.P.
Morphology and origin of V-defects in semipolar (11-22) InGaN.
Journal of Crystal Growth. Roč. 339, č. 1 (2012), s. 1-7. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Crystal structure * Molecular beam epitaxy * Semiconducting indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.552, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224367