Košík

  1. 1.
    0396370 - FZÚ 2014 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
    Light emitting diodes with InAs/GaAsSb self-assembled quantum dot layer embedded in GaAs.
    Thin Solid Films. Roč. 543, Sept (2013), 83-87. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: quantum dots * electroluminescence * metalorganic vapor phase epitaxy * InAs * GaAsSb * light emitting diodes
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.867, rok: 2013
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224172
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.