Košík

0386379 - FZÚ 2013 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Holovský, Jakub - Schmid, M. - Stückelberger, M. - Despeisse, M. - Ballif, C. - Poruba, Aleš - Vaněček, Milan
Time evolution of surface defect states in hydrogenated amorphous silicon studied by photothermal and photocurrent spectroscopy and optical simulation.
Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 358, č. 17 (2012), s. 2035-2038. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812.
[International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS) /24./. Nara, 21.08.2011-26.08.2011]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) 7E09057
GRANT EU: European Commission(XE) 214134 - N2P
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: amorphous silicon * photocurrent spectroscopy * surface states
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.597, rok: 2012
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309311007411
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0215678