Košík

0341950 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Ledinský, Martin - Vetushka, Aliaksi - Stuchlík, Jiří - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Štepánek, J.
Crystallinity of the mixed phase silicon thin films by Raman spectroscopy.
[Krystalinita tenké vrstvy křemíku určená Ramanovou spektroskopií.]
Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, 19-25 (2008), s. 2253-2257. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
Klíčová slova: silicon * Raman scattering * chemical vapor deposition * Atomic force and scanning tunneling microscopy * Raman spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184789