Košík

0320707 - FZÚ 2009 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef
Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique.
[Interpretace DLTS spekter p-n přechodů v křemíku připravených difúzní technologií.]
ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), 155 - 158. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /7./. Smolenice Castle (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0525
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: silicon * p-n junction * deep levels * DLTS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169500