0314834 - FZÚ 2009 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Olejník, Kamil - Owen, M.H.S. - Novák, Vít - Mašek, Jan - Irvine, A.C. - Wunderlich, J. - Jungwirth, TomášEnhanced annealing, high Curie temperature and low-voltage gating in (Ga,Mn)As.
[Účinné žíhání, vysoká kritická teplota a ovládání nízkým polem v (Ga,Mn)As.]
Physical Review. B. Roč. 78, č. 5 (2008), 054403/1-054403/4. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002; GA ČR GEFON/06/E001
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * Curie temperature * field-effect transistor
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.322, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0165218