Košík

  1. 1.
    0308047 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
    Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures.
    [Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami.]
    Journal of Crystal Growth. Roč. 310, 7-9 (2008), s. 2229-2233. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA AV ČR KJB101630601; GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: nanostructures * metalorganic vapor-phase epitaxy * semiconducting III–V materials
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.757, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160642
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.