Košík

  1. 1.
    0185890 - UJF-V 20033197 DE eng A - Abstrakt
    Peřina, Vratislav - Macková, Anna - Hnatowicz, Vladimír - Prajzler, V. - Machovič, V. - Schröfel, J.
    Properties of RF magnetron sputtered galium nitride semiconductors doped with erbium.
    Book of Abstracts of the European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis /10./. 2003. s. 195.
    [European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis /10./. 05.09.2003-10.09.2003, Berlín]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901
    Klíčová slova: galium nitride * doped Er * RF magnetron sputtering
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0082241
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.