Košík

0085159 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Mates, Tomáš - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs.
[Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček přerůstaných InGaAs připravených pomocí MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 298, - (2007), s. 582-858. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718; GA MŠMT LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanostructures * metalorganic vapor phase epitaxy * arsenides * semiconducting III-V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.950, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0147727