0083592 - ÚFE 2008 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Toušková, J. - Toušek, J. - Poruba, A. - Bařinka, R. - Hlídek, P. - Lorinčík, JanInfluence of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in silicon wafers.
[Vliv vrstev nitridu křemíku na difuzní délku minoritních nosičů v Si.]
Proceedings of the International Conference Twentyfirst European Photovoltaic Solar Energy. München: WIP-Renewable Energies, 2006 - (Poortmans, J.; Ossenbrink, H.; Dunlop, E.; Helm, P.), s. 960-962. ISBN 3-936338-20-5.
[European Photovoltaic Solar Energy Conference /21./. Dresden (DE), 04.09.2006-08.09.2006]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: solar cells * hydrogen * plasma
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0146778
