Košík

0043926 - ÚPT 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Frank, Luděk - Müllerová, Ilona - Valdaitsev, D. - Gloskovskii, A. - Nepijko, S. - Elmers, H. - Schönhense, G.
The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons.
[Původ kontrastu v zobrazení dopované oblasti křemíku pomocí pomalých elektronů.]
Journal of Applied Physics. Roč. 100, č. 9 (2006), 093712:1-5. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA202/04/0281
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: PEEM * dopant contrast * silicon * semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.316, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136817