Košík

0022803 - ÚPT 2006 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Frank, Luděk - Müllerová, Ilona
The injected-charse contrast mechanism in scanned imaging of doped semiconductors by very slow electrons.
[Kontrastní mechanismus injektovaného náboje v rastrovaném zobrazení dopovaných polovodičů velmi pomalými elektrony.]
Ultramicroscopy. Roč. 106, č. 1 (2005), s. 28-36. ISSN 0304-3991. E-ISSN 1879-2723
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/04/0281
Klíčová slova: Low-energy electrons * SEM * Dopant contrast
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.490, rok: 2005
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0111513