Košík

0580308 - ÚMCH 2024 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Panthi, Yadu Ram - Pfleger, Jiří - Výprachtický, Drahomír - Pandey, Ambika - Thottappali, Muhammed Arshad - Šeděnková, Ivana - Konefal, Magdalena - Foulger, S. H.
Rewritable resistive memory effect in poly[N-(3-(9H-carbazol-9-yl)propyl)-methacrylamide] memristor.
Journal of Materials Chemistry C. Roč. 11, č. 48 (2023), s. 17093-17105. ISSN 2050-7526. E-ISSN 2050-7534
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAUSA19066
Institucionální podpora: RVO:61389013
Klíčová slova: electronic memory * resistive memory * organic electronics
Obor OECD: Polymer science
Impakt faktor: 6.4, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/TC/D3TC03394E
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349271