Košík

0547617 - FZÚ 2022 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Paszuk, A. - Bartoš, Igor - Wilks, R.G. - Nandy, M. - Bombsch, J. - Hartmann, C. - Félix, R. - Ueda, S. - Gordeev, Ivan - Houdková, Jana - Kleinschmidt, P. - Machek, Pavel - Bär, M. - Jiříček, Petr - Hannappel, T.
Band bending at heterovalent interfaces: hard X-ray photoelectron spectroscopy of GaP/Si(0 0 1) heterostructures.
Applied Surface Science. Roč. 565, Nov. (2021), č. článku 150514. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC18-06970J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si(0 0 1) * heterointerface * HAXPES * MOVPE * interface core level shifts * band level alignment
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 7.392, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.150514
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0323908