0469563 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
Photoluminescence of InGaN/GaN MQW structures – technological aspects.
ASDAM 2016. Danvers: IEEE, 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 41-44. ISBN 978-150903083-5.
[International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
Grant CEP: GA MŠMT LO1603; GA ČR GA16-15569S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: scintillator * GaN * multiple quantum well * photoluminescence * cathodoluminescence * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267357