Košík

0464783 - FZÚ 2017 RIV CH eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Uhnevionak, V. - Burenkov, A. - Strenger, C. - Ortiz, G. - Mortet, Vincent - Bedel-Pereira, E. - Cristiano, F. - Bauer, A.J. - Pichler, P.
Effect of bulk potential engineering on the transport properties of SiC MOSFETs: characterization and interpretation.
Materials Science Forum. Vols 821-823. Silicon Carbide and Related Materials 2014. Pfaffikon: Trans Tech Publications Inc., 2015, s. 737-740. ISBN 978-303835478-9. ISSN 0255-5476.
[European Conference on Silicon Carbide and Related Materials. ECSCRM 2014. Grenoble (FR), 21.09.2014-25.09.2014]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: 4H-SiC MOSFETs * interface traps * bulk traps * depth dependence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263566