Košík

0458379 - FZÚ 2017 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures.
Physica B-Condensed Matter. Roč. 480, Jan (2016), 14-22. ISSN 0921-4526. E-ISSN 1873-2135
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE * luminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.405, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0258645