0449865 - FZÚ 2016 RIV CZ cze L3 - Certifikované metodiky
Holovský, Jakub - Remeš, ZdeněkMetodika nedestruktivního určení koncentračního profilu bóru v Si deskách.
[Methodology of not destructive determination of boron concentration profile in Si wafers.]
Interní kód: SVMB_SOL_01 ; 2012
Technické parametry: Komercionalizace metodiky se nepředpokládá, bude sloužit jako podůrný produkt prodeje. V případě implementace ověřené technolopie pro difúzi bóru včetně všech jeho modulárních komponent na strukturách.
Ekonomické parametry: Komercionalizace metodiky se nepředpokládá, bude sloužit jako podůrný produkt prodeje. V případě implementace ověřené technolopie pro difúzi bóru včetně všech jeho modulárních komponent na strukturách křemíkových solárních článků do vysokoteplotních pecí SVFur společně s metodikami pro přípravu substrátů a vytváření těchto vrstev se předpokládá 12% nárůst prodeje v segmentu difuzních reaktorů pro dopování bórem společností SVCS Process Innovation s.r.o.
Certifikační orgán: SVCS Process Innovation s.r.o., Optátova 37, Brno 637 00, Česká republika.
Datum certifikace: 10.12.2012
Grant CEP: GA TA ČR TA01020972
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon substrate * boron concentration profile * IR reflection * UV ellipsometry
Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0251279