Košík

    1.
    0431319 - FZÚ 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Dimitrakopulos, G.P. - Bazioti, C. - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Komninou, Ph.
    Misfit dislocation reduction in InGaAs epilayers grown on porous GaAs substrates.
    Applied Surface Science. Roč. 306, Jul (2014), s. 89-93. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
    Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: compound semiconductors * InGaAs * porous substrate * misfit dislocations * strain
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.711, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0235904
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0431319.pdf71.5 MBJinávyžádat
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše