Košík

    1.
    0428559 - ÚFE 2015 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Brus, V.V. - Černohorský, Ondřej - Maryanchuk, P.D. - Bazioti, C. - Dimitrakopulos, G.P. - Komninou, Ph.
    Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles.
    Semiconductor Science and Technology. Roč. 29, č. 4 (2014), Article number 045017. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
    Grant CEP: GA MŠMT LD12014
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: electrophoretic deposition * Pt nanoparticles * Schottky diodes
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Impakt faktor: 2.190, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0233890
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0428559.pdf8996 KBJinávyžádat
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše