0425745 - FZÚ 2014 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dubecký, F. - Kováč, J. - Kováč jr., J. - Zat'ko, B. - Oswald, Jiří - Hubík, Pavel - Kindl, Dobroslav - Vanko, G. - Gombia, E. - Ferrari, C. - Boháček, P. - Šagátová, A. - Nečas, V. - Sekáčová, M.4H-SiC and novel SI GaAs-based M-S-M radiation hard photodetectors applicable in UV, EUV and soft X-ray detection: Design, technology and performance testing.
Damage to VUV, EUV, and X-ray Optics IV; and EUV and X-ray Optics: Synergy between Laboratory and Space III. Bellingham: SPIE, 2013 - (Juha, L.; Bajt, S.; London, R.; Hudec, R.; Pína, L.). Proceedings of SPIE, 8777. ISBN 9780819495792.
[Damage to VUV, EUV, and X-ray Optics IV; and EUV and X-ray Optics: Synergy between Laboratory and Space III. Praha (CZ), 15.04.2013-18.04.2013]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: 4H-SiC * EUV * photocurrent spectroscopy * semi-insulating GaAs * UV * X-ray detector
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0231558
