Košík

0424792 - FZÚ 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Yoshikawa, A. - Fujimoto, Y. - Yamaji, A. - Kurosawa, S. - Pejchal, Jan - Sugiyama, M. - Wakahara, S. - Futami, Y. - Yokota, Y. - Kamada, K. - Yubuta, K. - Shishido, T. - Nikl, Martin
Crystal growth and characterization of Ce:Gd₃(Ga,Al)₅O₁₂ single crystal using floating zone method in different O₂ partial pressure.
Optical Materials. Roč. 35, č. 11 (2013), s. 1882-1886. ISSN 0925-3467. E-ISSN 1873-1252
Grant CEP: GA MŠMT LH12150
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Ce:GAGG * scintillator * single crystal * floating zone method * growth atmosphere * combinatorial
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.075, rok: 2013
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346713001523
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0230800