Košík

0392283 - FZÚ 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Graded GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
Journal of Crystal Growth. Roč. 370, MAY (2013), s. 303-306. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: band alignment * photoluminescence * strain reducing layer * quantum dot * MOVPE * InAs/GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.693, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0221191