Košík

0392280 - FZÚ 2014 RIV CS eng J - Článek v odborném periodiku
Krátká, Marie - Neykova, Neda - Ukraintsev, Egor - Kromka, Alexander - Rezek, Bohuslav
Sensitivity of encapsulated diamond-protein transistor renewed by low temperature hydrogen plasma.
International Journal of Electrochemical Science. Roč. 8, č. 2 (2013), s. 1598-1608. ISSN 1452-3981. E-ISSN 1452-3981
Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108; GA ČR GAP108/12/0996; GA ČR GD202/09/H041
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nanocrystalline diamond * solution-gated field-effect transistor * low temperature hydrogen termination * proteins * encapsulation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.956, rok: 2013
http://www.electrochemsci.org/list13.htm#current
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0221189