Košík

0391944 - FZÚ 2014 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kubištová, Jana - Kuldová, Karla - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard
Type I - type II band alignment of GaAsSb/InAs/GaAs quantum dot heterostructure influenced by dot size and strain reducing layer composition.
Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 46, č. 9 (2013), "095103-1"-"095103-9". ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.521, rok: 2013
http://iopscience.iop.org/0022-3727/46/9/095103/
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220900