Košík

0390592 - FZÚ 2013 KR eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan
Graded GaAs_(1-x)Sb_x strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE.
IC-MOVPE XVI. Daejeon 302-120: Seo-Gu, 2012 - (Euijoon, Y.). s. 76-76
[nternational Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy /16./. 20. 05.- 25. 05. 2012, Busan]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * strain reducing layer * band alignment * photoluminescence * InAs/GaAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219462