Košík

0389160 - FZÚ 2013 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kůsová, Kateřina - Ondič, Lukáš - Klimešová, Eva - Herynková, Kateřina - Pelant, Ivan - Daniš, S. - Valenta, J. - Gallart, M. - Ziegler, M. - Hönerlage, B. - Gilliot, P.
Luminescence of free-standing versus matrix-embedded oxide-passivated silicon nanocrystals: The role of matrix-induced strain.
Applied Physics Letters. Roč. 101, č. 14 (2012), "143101-1"-"143101-5". ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA101120804; GA AV ČR KJB100100903; GA ČR GPP204/12/P235
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: silicon nanocrystals * matrix * photoluminescence * strain * bandstructure
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.794, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0218051