Košík

0387641 - ÚFE 2013 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Vaniš, Jan - Piksová, K.
Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth.
Physica Status Solidi C. Roč. 9, č. 7 (2012), s. 1531-1533. ISSN 1862-6351.
[16th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI). Stockholm, 19.06.2011-23.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor technology * porous semiconductors * epitaxial growth
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220314