Košík

0372993 - FZÚ 2012 CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Matulková, Irena - Cihelka, Jaroslav - Zelinger, Zdeněk - Civiš, Martin - Šimeček, Tomislav - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Diagnostic and characterization of the VCSEL diodes based on W heterostructure type II on GaSb substrate.
Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-X). Shanghai: Shanghai Institute of Microsystem and Information technology Chinese Academy of Sciences, 2010, s. 178-179. ISBN N.
[International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices /10./ (MIOMD-X). Shanghai (CN), 05.09.2010-09.09.2010]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: VCSEL diodes * GaSb * semiconductor laser * MID-IR
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206174