Košík

0346227 - ÚFE 2011 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
InGaAsP/InP infrared light emitting diodes prepared by liquid phase epitaxy from rare-earth treated melt.
XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009. Krynica-Zdroj: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2009, s. 129-129.
[XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009. Krynica-Zdroj (PL), 19.06.2009-26.06.2009]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * Rare-earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187303