Košík

0346035 - ÚFE 2011 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for the radiation detection structures.
EXMATEC 2008. Lodž: IEEE, 2008 - (Ciupa, E.; Sibinski, M.; Podgorski, J.; Bielska, S.), s. 171-172. ISBN 978-83-915220-1-1.
[9TH International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies. Lodž (PL), 01.06.2008-04.06.2008]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187164