Košík

0304148 - URE-Y 20030099 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
Physica Status Solidi C. Roč. 0, č. 3 (2003), s. 862-866. ISSN 1610-1634.
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest, 26.05.2002-29.05.2002]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114289